基本解释

• [電子、通信與自動控制技術]二次碰撞電子

英汉例句

雙語例句

• Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current, channel hot hole, electron injection current, and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.
  柵電流由四部分組成 ：直接隧穿電流、溝道熱空穴、一次碰撞電離産生的電子注入、二次碰撞電離産生的空穴注入 。

专业释义

電子、通信與自動控制技術

• 二次碰撞電子